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Bei der Herstellung von Transistoren unterscheidet man unterschiedliche Typen.

Herstellung von Transistoren

Unter einem Transistor versteht man in der Elektrotechnik ein so genanntes Halbleiterbauelement, welches zum Verstärken und Schalten elektrischer Spannungen und Ströme genutzt wird. Zurückzuführen ist der Begriff Transistor auf eine Verkettung der englischsprachigen Begriffe Transformation Resistor oder Transfer Varistor, die den Vorgang eines durch Strom steuerbaren Widerstandes umschreiben sollen. Das erste Prinzip zur Herstellung von Transistoren wurde bereits im Jahr 1926 in Deutschland als Patent angemeldet. Die Herstellung des ersten funktionierenden Geräts erfolgte allerdings erst Jahre später in England. In den 1950er Jahren konkurrierten die bereits in größeren Stückzahlen produzierten Transistoren vor allem mit den bereits etablierten Röhren.  Bei der Herstellung von Transistoren verwendete man zunächst das chemische Element Germanium, das in kleine Glasröhrchen eingeschmolzen wurde. Später wurde auch reines Silizium oder Gemische aus beiden Stoffen verwendet. Heutzutage findet man Transistoren vor allem in der Computertechnologie: So zum Beispiel in Schaltkreisen wie Prozessoren und Arbeitsspeichern. Man geht davon aus, dass der Transistor mittlerweile die meistproduzierte technische Funktionseinheit in der Geschichte der Menschheit ist. 
 

Technisches Prinzip und Typen von Transistoren

Grundsätzlich unterscheidet man bei der Herstellung von Transistoren zwei verschiedene Typen, die sich durch die Art der jeweiligen Ansteuerung von einander abgrenzen: den so genannten Bipolaren Leistungstransistor und die Gruppe der unipolaren Transistoren, zu deren Hauptvertretern der Feldeffekttransistor, kurz FET, gehört. Für die Herstellung bipolarerer Transistoren sind die kammerförmigen Kontaktstrukturen typisch. Sie verbinden die Basis mit dem Emitter und dem Kollektor, was wiederum die Steuerung vom großen Strom durch einen kleinen Strom ermöglicht. Je nach Dotierungsfolge unterscheidet man bei der Herstellung von Transistoren zwischen PNP- und NPN-Modellen. Die Feldeffekttransistoren (FET) werden als unipolare Transistoren durch reine Spannung gesteuert.  Ihre Anschlüsse werden dabei mit den Begriffen Drain, Gate und Source bezeichnet, die zu Deutsch Abfluss, Gatter oder Tor und Quelle bedeuten.  Darüber hinaus existieren auch die als MOSFET bezeichneten Anschlüsse, die man an einer zusätzlichen Quelle bzw. Source, den so genannten Bulk, erkennen kann. Die Kombination dieser Teile erzeugt eine recht geringe Spannung im so erzeugten elektrischen Feld, die bei MOSFETs nur einige Picoampere beträgt. Zu den Vorteilen der FETs gegenüber bipolaren Transistoren zählt die stromlose Steuerung ebenso wie die geringen Durchgangsverluste und der geringe Spannungsabfall. Auch eine erhöhte Integrationsdichte kann erzeugt werden, was wiederum geringere Kosten in der Anwendung zur Folge hat. Feldeffekttransitoren werden überwiegend in der Digital- und Hochfrequenztechnik eingesetzt, beispielsweise in Schaltnetzteilen oder Schaltreglern im Automotive-Bereich oder in der Audio-Technologie. In den meisten Fällen ist die Entscheidung für oder gegen einen bestimmten Transistor vom Rauschverhalten und von den jeweiligen Ansprüchen an die Haltbarkeit abhängig. 
Events
Datum: 28.07.- 30.07.2010
Land: Japan
Ort: Tokio
Messe: Micromachine / MEMS - International Trade Show for Micro/MEMS & Nano Technologies
Datum: 10.08.- 13.08.2010
Land: Brasilien
Ort: Belo Horizonte
Messe: FIEE Minas - International Electrical, Energy and Automation Industry Trade Fair
Datum: 31.08.- 02.09.2010
Land: China (VR)
Ort: Shenzhen
Messe: NEPCON South China
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